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    系統層級與芯片層級靜電放電的差異性
    加入時間:2015-06-10
        現在靜電放電已經成為影響電子產品質量的一個非常主要的因素,根據美國最近公布的數據,單就因為靜電放電造成的國家損失就高達200億美元之多,所有有效防范靜電放電,是非常迫切的任務。為了防范靜電放電的危害,眾多靜電放電協會根據不同的環境制定了不同的靜電放電測試規范,可以分為芯片層級靜電放電測試和系統層級經典放電,那么兩者有何差別呢?
        1、模型電容電阻值規范不同
        芯片層級靜電放電模型為對一個100pF電容充電后透過一串聯1.5kΩ電阻對待測物放電。而系統層級靜電放電模型為對一個150pF電容充電后透過一串聯330Ω電阻放電。由此可以看出在相同的靜電電壓下,系統層級靜電放電模型將會具有較多的電荷容量和較大的放電電流,其放電能量約為芯片層級靜電放電能量的五倍之多,因此系統層級靜電放電測試將會比芯片層級靜電放電測試還要更嚴苛。而會如此規范的原因是,生產廠商都會做工廠靜電消除管理,所以IC在制造生產的過程中受到靜電的威脅較小。而電子產品用戶所處的環境卻是不受控制的,因此受到靜電放電的威脅較大,這也是為什么系統層級靜電放電規范會制定的如此嚴格。
        2、要求的靜電放電電壓等級不同
    一般IC只會要求到芯片層級靜電放電測試±2kV,而電子產品會要求到系統層級靜電放電接觸測試±8kV,空氣放電±15kV。會這樣規范的主要原因也是電子產品所處的環境是比IC所處的環境還要更嚴苛。
        3、測試的失效準則不同
        芯片層級靜電放電測試是在IC針腳浮接的狀態下做測試,一般造成的損害為硬件的損害。而系統層級靜電放電測試是在電子產品上電運作的狀態,除了可能造成硬件的損害,也有可能造成當機或系統運作不穩定的情況。系統層級靜電放電測試的失效問題是比芯片層級靜電放電測試還要多更多。
        以上就是系統層級靜電放電和芯片層級靜電放電的基本差異,可以發現不論是在放電能量、靜電電壓和失效準則,系統層級都較芯片層級靜電放電要求更嚴格。

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